沈阳出台3年规划促新旧动能转换

百度 　　经中国环境监测总站会同京津冀及周边地区省级环境监测中心研判，3月26日至28日，京津冀区域中部太行山以东、燕山以南地区可能出现低压辐合带，污染扩散条件较为不利，区域空气质量以中至重度污染为主，部分地区部分时段将达到严重污染水平。

Leiterbahnen (auch Leitbahnen oder selten Leitungsbahnen; zu englisch [electrical data] lanes) sind in der Mikroelektronik elektrisch leitende Verbindungen mit zweidimensionalem Verlauf, d. h. in einer Ebene, der Leiterbahn- oder Metallisierungsebene. Sie werden zum Verbinden elektronischer Bauelemente auf Leiterplatten und integrierten Schaltkreisen eingesetzt und dienen dort zur Strom- bzw. Spannungsversorgung, Signalübertragung und auch zur W?rmeableitung.

Schematischer Querschnitt durch einen CMOS-Chip vom Anfang der 2000er-Jahre. Zu sehen sind 5 Leiterbahnebenen aus Kupfer (orange), die durch elektrisch isolierende Ebenen mit VIAs aus Kupfer getrennt sind.

Leiterplatten für sehr einfache Schaltungen k?nnen unter Umst?nden mit nur einer Leiterbahnebene auskommen, die z. B. auf einer Seite einer Leiterplatte aufgebracht und strukturiert wurden. Doch k?nnen die wenigsten Schaltungen so stark entflochten werden, dass sich bei nur einer Ebene keine Leiterbahnen kreuzen. Mit Ausnahme einiger Fertigungstricks, wie überbrückungen einer Leiterbahn mithilfe eines Bauelements, ist daher mindestens eine weitere Ebene notwendig, z. B. zweiseitige Leiterplatten.

Bei modernen, sehr komplexen Leiterplatten werden daher mehrlagige Mehrebenen- bzw. Multilayer-Leiterplatten verwendet, bei denen sich Leiterbahnebenen und elektrisch isolierende Ebenen (z. B. faserverst?rkter Kunststoff) abwechseln. Die Verbindung zwischen einzelnen Leiterbahnebenen erfolgt mithilfe vertikaler, elektrisch leitender Verbindungen, den Vias (englisch vertical interconnect access).

Bei integrierten Schaltkreisen werden die Leiterbahnebenen in der Regel immer nur auf einer Seite des Substrates (meist ein Wafer aus Silizium) gefertigt und mit zunehmendem Abstand von der Chipoberfl?che immer dicker. Derzeitige Spitzenprodukte ben?tigen dabei bis zu zw?lf Leiterbahnebenen, z. B. die Llano-Serie von AMD (elf Kupferebenen) oder Virtex-5 von Xilinx (zw?lf Ebenen: elf Kupfer + eine Aluminium).

Als Leiterbahnmaterial wird ein elektrisch gut leitf?higes und verh?ltnism??ig günstiges Material ben?tigt (wirtschaftliche Herstellung). Daher wird bei Leiterplatten in der Regel Kupfer eingesetzt. Bei integrierten Schaltkreisen wurde lange Zeit nahezu ausschlie?lich Aluminium (in der Regel in einer Aluminium-Kupfer-Legierung) verwendet, das sich nach einer ganzfl?chigen Abscheidung (physikalische Gasphasenabscheidung) leicht durch Trocken?tzen strukturieren l?sst. Heutige Spitzenprodukte ben?tigen jedoch elektrisch besser leitende Materialien, daher sind auch hier viele Hersteller auf Kupfer-Leiterbahnen umgestiegen. Da sich Kupfer nicht durch Trocken?tzen strukturieren l?sst, mussten hierfür jedoch neue Techniken (galvanische Abscheidung, chemisch-mechanische Planarisierung, Diffusionsbarrieren usw.) eingeführt werden, die den Herstellungsprozess komplexer und damit teurer werden lassen.

Damit keine Kurzschlüsse oder hohen Verluststr?me auftreten, müssen die Leiterbahnen elektrisch gut voneinander isoliert sein. Aufgrund des Schichtaufbaus einer Verdrahtung mit mehreren Ebenen kann hierbei das Dielektrikum bzw. k?nnen die Dielektrika hinsichtlich ihrer Funktion in zwei Klassen aufgeteilt werden:

1. das Dielektrikum zwischen den Leiterbahnen in einer Ebene (englisch inter-metal dielectric, IMD)
2. das Dielektrikum zwischen zwei Leiterbahnebenen, d. h. in der verbindenden Via-Schicht (englisch inter-level dieletric, ILD).